具有单区JTE终端的3300 V 4H-SiC结势垒 肖特基二极管的研制

• 作者: 吴昊 张璧君 李永平 杨霏 查祎英 潘艳 田亮 郑柳
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 功率器件 终端 JTE
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 高压大功率SiC 材料、器件及应用
• 页码范围: 781-785
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2415字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.009

摘要

阐述了3300 V 4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)详细的设计和制备过程.4H-SiC N型外延层掺杂浓度为3.1×1015cm–3,厚度为33μm.器件的终端采用了单区结终端扩展(JTE)结构.利用数值模拟优化了JTE结构的离子注入剂量、漂移区和有源区的结构参数,并根据模拟结果研制了4H-SiC JBS.测试结果显示,当正向导通电流达到30 A时,该器件的正向压降小于1.8 V,二级管的反向击穿电压约为4000 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李永平		3	8	2.0	2.0
2	吴昊		6	16	2.0	3.0
3	查祎英		4	1	1.0	1.0
4	杨霏		14	36	3.0	5.0
5	潘艳		8	8	1.0	2.0
6	田亮		1	1	1.0	1.0
7	张璧君		1	1	1.0	1.0
8	郑柳		4	3	1.0	1.0