兆声清洗在GaAs PHEMT栅凹槽工艺中的应用

• 作者: 周国 张力江
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 栅凹槽 颗粒沾污 兆声清洗 漏电
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 219-222
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.03.012

摘要

对GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)在栅凹槽光刻和栅凹槽腐蚀过程中光刻窗口内经常出现的一些沾污颗粒进行了分析.设计了一系列实验来分析残留在芯片上的颗粒度参数,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片模拟实际的栅凹槽清洗工艺过程,利用颗粒度测试仪分别测试了4英寸圆片表面不同粒径的沾污颗粒数在喷淋和兆声清洗两种条件下的变化情况.比较两种清洗结果,兆声清洗方法可以有效去除栅凹槽颗粒沾污.在实际流片过程中,采用兆声清洗方法大幅降低了源漏间沟道漏电数值,同时芯片的直流参数成品率由之前的75％提高到了93％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张力江	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	32	3.0	5.0
2	周国	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	2	1.0	1.0