抛光过程主要参数对中频误差形成的影响

• 作者: 张蓉竹 蔡发明
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 平面研磨 去除量 去除函数 中频误差
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 光电测量
• 页码范围: 54-58
• 分类号: TH703
• 语种: 中文

摘要

为了确认抛光过程中抛光盘大小对光学元件表面中频误差的影响,对双轴式平面研磨抛光的去除特性进行了分析.推导了去除函数的表达式,计算了抛光盘大小对元件的去除量以及其分布的影响.结果表明,不论抛光盘大小如何改变,回转中心的去除量总是最大,去除量最大区域所对应半径随着抛光盘半径的增大而增大,利用这一关系确定了导致中频误差产生的磨头尺寸.通过选择合适的抛光盘尺寸,可以对最大去除量区域范围进行控制,从而有效减少工件在研磨抛光过程中中频误差的产生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张蓉竹	四川大学电子信息学院	107	573	10.0	20.0
2	蔡发明	四川大学电子信息学院	1	0	0.0	0.0