SiC MOSFET三维原胞研究与并联优化

• 作者: 何清源 廖天 张凯 方健 杨霏 王嘉铭 罗小蓉
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 原胞 三维仿真 栅氧电场
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 高压大功率SiC 材料、器件及应用
• 页码范围: 777-780
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.008

摘要

采用三维数值仿真的方法分别研究SiC MOSFET条形原胞、方形原胞以及六角原胞的电学特性与栅氧化层电场分布;提出SiC MOSFET方形原胞新并联方案,相比传统的方形原胞阵列,新方案可有效降低器件栅氧电场峰值,达到与六角原胞接近的效果.新方案在版图实现上并未增加技术难度,是SiC MOSFET版图设计中一种可行的方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗小蓉	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	62	5.0	7.0
2	方健	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	304	9.0	16.0
3	杨霏		14	36	3.0	5.0
4	张凯	电子科技大学微电子与固体电子学院	7	19	2.0	4.0
5	何清源	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	3	1.0	1.0
6	廖天	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	3	1.0	1.0
7	王嘉铭		2	3	1.0	1.0