2keV镓离子轰击单晶硅基底碰撞过程的分子动力学模拟研究

• 作者: 杨元瑞 柴青
• 来源期刊: 传感器世界
• 学科: 化学
• 关键词: 聚焦离子束 分子动力学 单晶硅 级联碰撞 非晶化区域
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 研究动态
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: O613.72
• 字数: 1640字
• 语种: 中文

摘要

阐述了聚焦离子束技术的原理,介绍了离子与固体相互作用的计算机模拟方法.结合Tersoff-ZBL势函数,运用分子动力学方法,模拟能量为2keV的单个镓离子轰击硅表面.通过分析计算基底原子的速度等信息,研究了离子在入射过程中基底的温度变化等.并研究了入射离子在与硅基底原子的级联碰撞过程中造成的晶格损伤.研究发现,离子在入射过程中,通过级联碰撞,将能量传递给基底原子,基底温度出现峰值;当入射离子最终将能量传递给周围原子后,入射离子最终注入到基底内部,并观测到了入射离子在基底中形成的非晶化区域.研究结果为聚焦离子束刻蚀硅的分子动力学模拟提供理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨元瑞	东南大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0
2	柴青	东南大学机械工程学院	3	2	1.0	1.0