高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底Si面外延石墨烯工艺研究

• 作者: 李斌 毛开礼 王英民 胡彦飞 赵高扬
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 高纯半绝缘SiC单晶衬底 大面积
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 63-66,88
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2898字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2017.02.001

摘要

高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要.研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相关工艺参数(压力、温度、工艺时间)对外延石墨烯质量的影响.通过激光拉曼光谱、原子力显微镜、场发射扫面电镜等分析,测试了石墨烯材料的大小、形态,为后续工艺的改进提供参考.在1 650℃、500 Pa压力下生长2h制备的外延石墨烯,具有更高品质和表面连续性,拉曼光谱中2D峰的半高宽(FWHM)约为34 cm-1,能够用单峰洛伦兹拟合,预示着单层石墨烯的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵高扬	西安理工大学材料科学与工程学院	72	349	10.0	14.0
2	胡彦飞	西安电子科技大学微电子学院	2	0	0.0	0.0