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摘要:
随着物理电子和加工制造工艺的高速发展,分布式放大器也有了长足发展.本文介绍了基于HEMT的分布式放大器原理,设计过程和设计方法,并解释了设计过程中需要注意的设计要点和参数选择原理,并设计实现了2GHz到10GHz带宽范围的分布式放大器,其设计原理和方法可以应用在通信系统中广泛实现和应用.
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文献信息
篇名 2GHz到10GHz基于HEMT的MMIC分布式放大器设计
来源期刊 电子技术 学科 工学
关键词 高电子迁移率晶体管 单片式微波集成电路 分布式放大器 ADS
年,卷(期) 2017,(6) 所属期刊栏目 电子技术设计与应用
研究方向 页码范围 37-39,25
页数 4页 分类号 TN43
字数 1956字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-0755.2017.05.012
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研究主题发展历程
节点文献
高电子迁移率晶体管
单片式微波集成电路
分布式放大器
ADS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子技术
月刊
1000-0755
31-1323/TN
大16开
上海市长宁区泉口路274号
4-141
1963
chi
出版文献量(篇)
5480
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19
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22245
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