1200 V/36 A SiC MOSFET短路特性的 实验研究

• 作者: 孙鹏 杨霏 柯俊吉 赵志斌 魏昌俊
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: SiCMOSFET 短路特性 短路测试 实验研究
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 高压大功率SiC 材料、器件及应用
• 页码范围: 765-772
• 页数: 8页
• 分类号: TN306
• 字数: 4300字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.006

摘要

短路能力是衡量功率半导体器件(IGBT、SiC MOSFET等)性能的重要指标,然而SiC MOSFET的短路性能还没有得到充分的研究.为掌握SiC MOSFET在短路工况下的特性,设计一套SiC MOSFET非破坏性短路测试实验平台,从短路脉冲宽度、栅源极电压UGS、栅极电阻RG、漏源极电压UDS、杂散电感LS、壳温度TCASE等方面对1200 V/36 A SiC MOSFET的短路特性进行全参数实验,综合评估和分析SiC MOSFET器件在不同参数下发生短路的开关瞬态特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨霏		14	36	3.0	5.0