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铌酸锂低半波电压电光调制器研究
铌酸锂低半波电压电光调制器研究
作者:
刘占元
李学鹏
牛晓晨
陈开鑫
陈硕
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
铌酸锂
电光调制器
退火质子交换
半波电压
反射结构
摘要:
对降低铌酸锂(LN)电光调制器的半波电压进行了研究,探索了利用反射结构实现低半波电压的原理.通过退火质子交换工艺在x切LN晶片上制作了反射结构的LN电光调制器.测试表明,这种反射结构的LN电光调制器在保持器件长度不变的条件下可以降低半波电压.
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文献信息
篇名
铌酸锂低半波电压电光调制器研究
来源期刊
半导体光电
学科
工学
关键词
铌酸锂
电光调制器
退火质子交换
半波电压
反射结构
年,卷(期)
2017,(3)
所属期刊栏目
光电器件
研究方向
页码范围
342-344
页数
3页
分类号
TN253
字数
语种
中文
DOI
10.16818/j.issn1001-5868.2017.03.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘占元
2
3
1.0
1.0
2
陈硕
6
7
2.0
2.0
3
牛晓晨
2
3
1.0
1.0
4
陈开鑫
电子科技大学通信与信息工程学院
12
27
3.0
4.0
5
李学鹏
电子科技大学通信与信息工程学院
1
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引证文献(1)
二级引证文献(1)
2020(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
铌酸锂
电光调制器
退火质子交换
半波电压
反射结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
主办单位:
重庆光电技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号44所内
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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