Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究

• 作者: 刘瑞庆 石青宏 黄伟
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: Ni(W)Si 热稳定性 肖特基势垒二极管 XRD Raman光谱 卢瑟福背散射 快速热退火(RTA)
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3025字
• 语种: 中文

摘要

首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,经600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成.Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃.Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65 eV,理想因子接近于1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄伟		33	50	4.0	4.0
2	石青宏		1	0	0.0	0.0
3	刘瑞庆		1	0	0.0	0.0