碳化硅对高速电弧放电加工SiC/Al的性能影响

• 作者: 刘晓 陈吉朋 顾琳
• 来源期刊: 上海航天
• 学科: 工学
• 关键词: 高速电弧放电 SiC/Al 体积分数 加工性能 材料去除率 工具损耗率 表面质量 热传导
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 产学研园地
• 页码范围: 110-115
• 页数: 6页
• 分类号: TG661
• 字数: 1939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19328/j.cnki.1006-1630.2017.01.018

摘要

为研究SiC颗粒对高速电弧放电加工的影响机理,基于高速电弧放电加工(BEAM),对体积分数20％,50％的碳化硅颗粒增强铝基复合材料(SiC/Al)进行了加工对比研究.基于Minitab软件设计了4因子(体积分数、峰值电流、脉冲宽度和脉冲间隔)2水平(低水平和高水平)的部分析因试验,用高速电弧放电加工专用机床研究了不同加工条件下SiC/Al的材料去除率、工具损耗率和表面质量.结果发现在相同加工参数下,体积分数20％,50％的SiC/Al表现出差距悬殊的加工特性,20％的SiC/Al加工效率远高于50％的SiC/Al,且前者的电极损耗率远低于后者,表明SiC体积分数是高速电弧放电加工SiC/Al性能的主导影响因子之一.通过测试及分析,认为SiC区别于基体材料的热传导特性是导致不同体积分数下的SiC/Al表现出不同加工特性的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾琳	上海交通大学机械系统与振动国家重点实验室	61	500	12.0	20.0
2	刘晓		26	50	4.0	6.0
3	陈吉朋	上海交通大学机械系统与振动国家重点实验室	5	7	2.0	2.0