P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延 生长研究

• 作者: 何志 刘兴昉 孙国胜 张峰 曾一平 杨霏 杨香 桑玲 樊中朝 温家良 王嘉铭 郑柳 钮应喜 闫果果
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 高压器件 外延 阱区 智能电网
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 高压大功率SiC 材料、器件及应用
• 页码范围: 752-756
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.004

摘要

基于碳化硅半导体的高压电力电子器件如MOSFET、IGBT等有望用于智能电网系统中.这些器件的基本结构包含PN结及其变体,其特点是包括N-漂移层、P阱区及位于其中的N+和P+并列阱区,形成了P+(N+)/P/N-结构.一般采用高温高能离子注入的方式制备此结构,具有较高的难度.本文采用外延生长的方法实现P+/P/N-同质多层结构,以P型阶梯掺杂的方式实现了一种4H-SiC多层薄膜同质外延材料.与注入方法相比,本方法在阱区几何尺寸、掺杂精度上具有优势,可望用于今后制备性能更优的同类高压器件.