基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
本论文研究了离子注入的能量、剂量、温度等因素与注入后形成的深度、浓度分布的关系,以获得优化的离子注入条件;研究了离子注入后的退火温度、时间、保护层等因素对SiC表面粗糙度、元素分布的影响关系;研究了离子注入后SiC芯片退火时的保护,以防止材料升华等;分析离子注入及高温退火过程中诱生缺陷的形成机理,以获得优化的高温退火条件.
推荐文章
掺杂离子及掺杂工艺对钛酸钡性能的影响
掺杂离子
掺杂工艺
钛酸钡
钙钛矿
Co离子注入ITO薄膜的磁性研究
ITO薄膜
离子注入
室温铁磁性
SUPREM-Ⅲ进行集成电路离子注入的工艺模拟
离子注入
沟道效应
工艺模拟
锗(Ge)材料中砷(As)离子注入掺杂和退火激活的实验研究
n型锗材料
砷离子注入
快速热退火
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 离子注入掺杂工艺研究
来源期刊 智能电网 学科 工学
关键词 离子注入 元素分布 高温退火
年,卷(期) 2017,(8) 所属期刊栏目 高压大功率SiC 材料、器件及应用
研究方向 页码范围 748-751
页数 4页 分类号 TN304
字数 1050字 语种 中文
DOI 10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨士慧 3 7 2.0 2.0
2 徐向前 2 5 1.0 2.0
3 田红林 1 4 1.0 1.0
4 张文婷 1 4 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (6)
节点文献
引证文献  (4)
同被引文献  (2)
二级引证文献  (0)
1967(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1977(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1989(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1996(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1999(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2017(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2018(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2019(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2020(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
离子注入
元素分布
高温退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
智能电网
月刊
2095-5944
10-1140/TK
大16开
北京市昌平区未来科技城
82-910
2013
chi
出版文献量(篇)
784
总下载数(次)
5
论文1v1指导