寄生电感对碳化硅MOSFET开关特性的影响

• 作者: 徐鹏 杨霏 柯俊吉 谢宗奎 赵志斌 魏昌俊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 寄生电感 关断过电压 开通过电流 开关损耗
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 194-199,234
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.03.007

摘要

相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗.然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感.因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电感的概念,将栅极回路寄生电感、功率回路寄生电感以及共源极寄生电感等效成3个集总电感,并且从关断过电压、开通过电流及开关损耗等3个方面,对这3个电感对SiC MOSFET开关性能的影响进行了系统的对比研究.研究表明:共源极寄生电感对开关的影响最大,功率回路寄生电感次之,而栅极回路寄生电感影响最小.最后,基于实验分析结果,为高速开关电路的布局提出了一些值得借鉴的意见.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵志斌	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	77	1185	18.0	33.0
2	柯俊吉	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	9	26	3.0	4.0
3	杨霏		14	36	3.0	5.0
4	徐鹏	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	13	145	5.0	12.0
5	谢宗奎	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	4	19	3.0	4.0
6	魏昌俊	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	2	16	2.0	2.0