聚酰亚胺基BN微纳米复合材料的电气绝缘性能研究

• 作者: 刘松 李鹏 王毅 田付强
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 微纳米BN 电性能 耐电晕
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 24-29,34
• 页数: 7页
• 分类号: TM215
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.02.005

摘要

通过原位聚合法制备了不同BN掺杂含量的聚酰亚胺基微纳米复合材料,使用扫描电镜、偏光显微镜、电气强度测试仪、介损及介电常数测量系统、皮安表和耐电晕老化实验装置对不同掺杂含量的微纳米复合PI薄膜的结构和电性能及耐电晕老化性能进行了研究.结果表明:随着BN微纳米颗粒掺杂量的增加,复合PI薄膜的电气强度先增大后减小,当掺杂含量为1％时,交流电气强度达到最大值219.6 kV/mm.掺杂BN后,复合PI薄膜的介电常数和介质损耗都有所增加,在高温下的电导电流小于纯PI薄膜.随着BN掺杂量的增加,复合PI薄膜的耐电晕老化性能逐步提升,在掺杂含量为20％时,复合PI薄膜的耐电晕老化时间是纯PI薄膜的116.7倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王毅		89	1141	18.0	30.0
2	李鹏		15	112	7.0	10.0
3	刘松		5	20	3.0	4.0
4	田付强		7	25	3.0	5.0