反应离子刻蚀制备石墨烯纳米盘阵列

• 作者: 付志兵 张继成 易勇 李浩 王红斌 黄维
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 化学气相沉积 PS微球 反应离子刻蚀 石墨烯纳米盘阵列
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 94-97,104
• 页数: 5页
• 分类号: TM242
• 字数: 2342字
• 语种: 中文

摘要

采用化学气相沉积法以乙醇为碳源在铜箔生长的单层高质量的石墨烯并将其转移到SiO2/Si基底上。然后在通过自组装的方法在石墨烯表面覆盖一层单层的PS微球阵列。采用反应离子刻蚀的方法在一定的刻蚀条件下对其进行刻蚀,随着刻蚀的时间增加,PS微球的会被逐渐刻蚀掉,石墨烯也会在这个过程中随着被刻蚀。将残留的PS微球杂质去掉后,会在 SiO2/Si基底上呈现出排列规整的石墨烯纳米盘阵列。通过场发射扫描电子显微镜( SEM)、拉曼光谱对石墨烯纳米盘及其形成过程进行表征和分析,为后续制备高质量石墨烯纳米带、石墨烯纳米点、石墨烯纳米盘提供参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王红斌	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	19	33	3.0	5.0
2	付志兵	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	53	352	10.0	15.0
3	易勇	西南科技大学无机非金属材料国家重点实验室	53	162	6.0	9.0
4	张继成	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	29	254	9.0	15.0
5	李浩	西南科技大学无机非金属材料国家重点实验室	6	23	3.0	4.0
9	黄维	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	5	22	3.0	4.0