一种高精度快速响应欠压锁定电路设计

• 作者: 冯全源 员瑶 邸志雄
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 欠压锁定(UVLO) 快速响应 高精度 迟滞 电流模控制
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 169-173
• 页数: 5页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.03.002

摘要

针对传统欠压锁定(UVLO)电路结构复杂和响应速度慢的问题,设计了一种高精度的快速响应欠压锁定电路.该电路整体均由CMOS管组成,结构简单且易于实现.采用电流模控制技术,随电源电压呈二次方曲线变化的自偏置电流控制阈值电压的产生,有效提高了电路的响应速度.该欠压锁定电路基于0.18μm BCD工艺设计,并利用HSPICE进行仿真验证,当电源电压在0～5V区间变化时,输出电压翻转的上阈值门限为3.91 V,相应下阈值门限为3.82V,迟滞量为90 mV,温度在-40～125℃范围变化时,阈值门限电压容差仅为0.9μV,可实现输出电压的高精度转换,电路面积仅为15 μm×48μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	员瑶	西南交通大学微电子研究所	1	4	1.0	1.0
3	邸志雄	西南交通大学微电子研究所	6	10	2.0	3.0