基于锗硅BiCMOS工艺的射频带隙基准电流源设计

• 作者: 丁星火 孙楷添 张甘英
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅工艺 射频 带隙基准 温漂系数 噪声
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2245字
• 语种: 中文

摘要

射频电路偏置电流源对噪声的要求越来越高,引进的噪声不容忽视,带隙基准源在保证温漂系数的同时要求有较低的噪声.设计了一款不采用运放结构简单的射频带隙基准源电路,电源电压3.3 V,基准电压VREF为3.14V,采用PNP双极管和电阻,利用缓冲器负载实现输出DC点和输出摆幅不变,改善了温度系数并且降低了噪声.基于0.18 μm SiGeBiCMOS工艺的仿真结果表明,在-55～125℃温度范围内,温漂系数为9.613×10-6/℃;7.5 GHz频率下,100 kHz处噪声为6.164 nV/sqrt(Hz),总输出噪声低至2.08×10-6V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张甘英		10	11	2.0	2.0
2	孙楷添		1	0	0.0	0.0
3	丁星火	西安电子科技大学微电子学院	1	0	0.0	0.0