张应变锗薄膜制备技术的研究进展

• 作者: 周志文 李世国 沈晓霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 张应变 锗薄膜 外延 硅衬底 光电子
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 161-168,189
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.11
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.03.001

摘要

由于与硅集成电路工艺兼容的张应变锗薄膜在光电器件如光电探测器、调制器,特别是发光器件中具有潜在的应用前景,使其得到了广泛关注.然而,在锗薄膜中引入可控的、大的张应变是个挑战.综述了张应变锗薄膜制备技术的研究进展,重点介绍了在锗薄膜中引入张应变的外延技术、应变转移技术、应变浓缩技术和机械应变技术的工艺流程和实验结果,并讨论了它们的优点和缺点.采用应变浓缩技术制备的厚度为350 nm的锗薄膜微桥的单轴张应变和微盘的双轴张应变分别达到了4.9％和1.9％,可将锗调制为直接带隙材料,适用于锗激光器的研制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周志文	深圳信息职业技术学院电子与通信学院	14	18	2.0	4.0
2	沈晓霞	深圳信息职业技术学院电子与通信学院	7	6	2.0	2.0
3	李世国	深圳信息职业技术学院电子与通信学院	19	14	2.0	3.0