载流子分布对GaN基LED频率特性的影响

• 作者: 付丙磊 刘磊 吴春晖 朱石超 王军喜 赵丽霞 陈宏达
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 发光二极管 可见光通信 调制带宽 载流子分布
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 347-352
• 页数: 6页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173803.0347

摘要

分别在直流偏置和交流偏置下,对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究.结果显示,通过改变靠近p型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流子分布.有源区内积累的电子会引起负电容效应.而通过降低有源区量子垒的势垒高度,可以改善LED中载流子传输特性,并实现载流子复合速率及通信调制带宽20%的提高.这个工作将有助于理解GaN基LED中载流子分布对频率特性的影响,并为设计适用于可见光通信的大功率高速LED奠定基础.