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摘要:
设计并实现了一种高速大电流的开关驱动器,可用于驱动PIN开关以及IGBT开关等.开展了系统结构、电路和版图技术研究,并采用亚微米CMOS标准工艺进行设计和制造.通过采用一种带隙基准结构提供偏置的方式使电路兼容TTL和CMOS输入,保证良好的温度特性;通过采用传输门功率驱动电路实现三态控制,解决了高速应用时电容馈通效应问题.详细设计了TTL输入转换电路、基准和偏置电路、三态输出和功率驱动等电路;基于0.6 μm CMOS工艺重点设计了高速驱动器中功率开关版图.该高速大电路开关驱动器产品的传输速度达到了25 ns,驱动电流达500 mA.
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文献信息
篇名 一种高速大电流开关驱动器的设计与实现
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 CMOS工艺 开关驱动器 TTL-CMOS兼容 集成电路 偏置电路
年,卷(期) 2017,(4) 所属期刊栏目 半导体集成电路
研究方向 页码范围 264-268
页数 5页 分类号 TN433
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.04.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙毛毛 中国电子科技集团公司第二十四研究所 2 2 1.0 1.0
2 甘明富 中国电子科技集团公司第二十四研究所 2 2 1.0 1.0
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2018(2)
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS工艺
开关驱动器
TTL-CMOS兼容
集成电路
偏置电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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