低阈值852nm半导体激光器的温度特性

• 作者: 关宝璐 刘储 廖翌如 徐晨 李建军 米国鑫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 852nm半导体激光器 温度特性 阈值电流 特征温度
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 331-337
• 页数: 7页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173803.0331

摘要

通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)和半导体后工艺技术制备了852 nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5 mA,输出的光谱线宽小于1 nm.测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化.测试结果表明,当温度变化范围为293～328 K时,阈值电流的变化速率为0.447 mA/K,特征温度T0为142.25 K,输出的光功率变化率为0.63 mW/K.通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7 K/W,中心波长漂移速率是0.249 29 nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符.实验结果表明,该半导体器件在293～303 K的温度范围内,各特性参数能够保持相对良好的状态.器件如果工作在高温环境,需要添加控温设备以保证器件在良好状态下运行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晨	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	63	295	9.0	13.0
2	李建军	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	52	234	7.0	12.0
3	关宝璐	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	18	82	6.0	8.0
4	米国鑫	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	2	7	2.0	2.0
5	廖翌如	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	2	7	2.0	2.0
6	刘储	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	2	13	2.0	2.0