局域表面等离激元对InGaN/GaN多量子阱发光效率的影响

• 作者: 张宝林 张源涛 李玲 许恒 闫龙
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束沉积 Ag纳米粒子 局域表面等离激元 InGaN/GaN多量子阱 光致发光
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 324-330
• 页数: 7页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 3179字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173803.0324

摘要

Ag 纳米粒子的形貌对InGaN/GaN 多量子阱(MQWs)的光致发光(PL)效率有着显著影响.本文采用离子束沉积(IBD)技术将Ag沉积在InGaN/GaN MQWs上,然后通过快速热退火处理制备Ag纳米粒子.通过改变Ag的沉积时间获得了具有不同Ag纳米粒子形貌的样品.用原子力显微镜对各样品的Ag纳米粒子形貌和尺寸进行了表征,并且测试了吸收谱、室温和变温PL谱及时间分辨光致发光(TRPL)谱.结果表明:随着Ag沉积时间的延长,所得Ag纳米粒子粒径增大,粒子纵横比先增大后减小且吸收谱峰红移.由于不同形貌的Ag纳米粒子在入射光作用下产生的局域表面等离激元(LSPs)与MQWs中激子耦合强度不同,光发射能力也不同,与没有Ag纳米粒子的样品相比,沉积时间为15 s的样品室温PL积分强度被抑制6.74倍,沉积时间为25 s和35 s的样品室温PL积分强度分别增强1.55和1.72倍且峰位发生红移,沉积时间为45 s的样品室温PL积分强度基本没有变化.TRPL与变温PL的测试结果证明,室温PL积分强度的改变是由于LSPs与MQWs中的激子耦合作用引起的.纵横比大且吸收谱与MQWs的PL谱交叠大的Ag纳米粒子能够更好地增强InGaN/GaN MQWs的发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宝林	集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院	3	2	1.0	1.0
2	许恒	集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
3	闫龙	集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
4	李玲	集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
5	张源涛	集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0