提高3D NAND Flash竞争力的关键技术分析

• 作者: 陈君汉
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体存储器 3D NAND Flash Cell on Peri
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TN403
• 字数: 2398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.01.014

摘要

提升3D NAND Flash竞争力将渐受重视,美光与英特尔阵营所开发Cell on Peri构造可缩减采3D NAND Flash解决方案的芯片面积,由于三星已提出类似的构造,且东芝亦可引进使3DNAND Flash与其系统LSI结合,Cell on Peri构造有机会成为相关业者提升3D NAND Flash竞争力的技术之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈君汉		1	3	1.0	1.0