γ射线电离辐射对商用CMOS APS性能参数的影响

• 作者: 徐守龙 邹树梁 黄有骏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOSAPS γ射线 总剂量效应 电离效应
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 308-315
• 页数: 8页
• 分类号: TN946.1|TN65
• 字数: 5133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173803.0308

摘要

研究了γ射线电离辐射效应对商用CMOS有源像素传感器(APS)性能参数的影响,着重分析了量子效率、转换增益、暗电流、坏点和脉冲颗粒噪声等参数.研究结果表明:当受到1 000 Gy辐射后,APS失去工作能力,无信号输出或像素灰度值仅为0,110,255 DN.60Co γ射线的离位截面约为10-25 cm2(0.1 b).当剂量率低于58.3 Gy/h且辐照时间较短时,辐射对量子效率及转换增益无影响,坏点产生数为0,总剂量效应使3T-APS的本底噪声升高到4.62 DN但对4T PPD APS几乎无影响.脉冲颗粒噪声引起的各灰度值像素数量分布呈泊松分布,并与剂量率正相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹树梁	南华大学核设施应急安全作业技术与装备湖南省重点实验室	259	1707	19.0	32.0
2	徐守龙	南华大学核设施应急安全作业技术与装备湖南省重点实验室	17	35	4.0	5.0
6	黄有骏		6	24	4.0	4.0