电子束蒸发方法研究Mg2Si的薄膜及其光学带隙

• 作者: 廖杨芳 房迪 肖清泉 谢泉 赵珂杰 陈茜
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体薄膜 Mg2Si 电子束蒸发 热处理
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 202-207
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4738字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.02.013

摘要

Mg2Si材料作为一种新型环境友好半导体材料,其薄膜制备方法及其光学性质的研究对其应用研发起到基础性作用.采用电子束蒸发方法在Si(111)衬底上沉积Mg膜,在氩气环境下进行热处理以制备Mg2Si半导体薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计对制备的Mg2Si薄膜进行表征.在氩气环境、温度500℃、压强200 Pa下,研究热处理时间(时间3-7 h)对Mg2Si薄膜形成的影响.XRD和SEM结果表明:通过电子束蒸发沉积方法在500℃、热处理时间为3～7h能够得到Mg2Si薄膜.热处理温度是500时,最佳热处理时间是4h,得到致密度好的薄膜.通过对薄膜的红外透射谱测试,得到了Mg2Si薄膜的光学带隙,其间接光学带隙值为0.9433 eV,直接光学带隙值为1.1580 eV.实验数据为Mg2Si薄膜的研发在制各工艺和光学性质方面提供参考.