SiC结势垒肖特基二极管及JMOS介绍

• 作者: 李传英 洪建中 许甫任 颜诚廷
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 结势垒 肖特基
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体电力电子器件专辑
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

介绍了结势垒控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(SiC JMOS)的特性.JMOS通过将DMOS和JBS合并于单片SiC器件,无需任何额外的工艺和面积.当SiCMOSFET中的寄生体二极管导通时,集成的JBS还可以防止由于注入的少数载流子的复合而导致的位错缺陷转变为堆垛层错的潜在风险.进行特征比较,并构建一个测试平台,以验证SiC JMOS比传统SiC DMOS的效率和可靠性有所提高.实验结果表明,SiC JMOS能以更低的成本和更高的功率密度获得更好的系统性能和可靠性.