LDMOS器件ESD防护特性分析与优化设计

• 作者: 潘建华 王涛 赵秋森 黄龙
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 双回滞 鲁棒性
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TN602
• 字数: 1267字
• 语种: 中文

摘要

LDMOS器件具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点,广泛应用于功率集成电路中,但在ESD防护过程中易发生双回滞而降低ESD鲁棒性.基于0.25 μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺,分析了LDMOS器件峰值电场的转移是发生双回滞现象并引起弱鲁棒性的主要原因,提出阳极用P+替代N+的版图改进方法.TLP测试制备的LDMOS器件显示,器件漏电流稳定维持在10-8A量级,二次失效电流大于9A.结果表明,抑制的双回滞能有效增强鲁棒性,使其适用于高压功率集成电路的ESD防护.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王涛		2	2	1.0	1.0
2	黄龙		2	2	1.0	1.0
3	潘建华		2	2	1.0	1.0
4	赵秋森		1	2	1.0	1.0