LDMOS工艺改进提高击穿电压的稳定性

• 作者: 刘宪周
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 横向扩散金属氧化物半导体 漂移区 击穿电压 稳定性
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 45-49
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 2048字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.01.012

摘要

LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)由于可以承受一定的高电压、同常规CMOS平台容易兼容等特点,集成生产出的芯片兼备了耐压、低能耗、低成本等特性,在电源管理等领域得到了广泛的推广和应用.击穿电压和导通状态下单位面积的阻值是衡量LDMOS优良与否的关键参数,而在生产过程中,由于工艺步骤的波动,将会导致击穿电压等电性参数的波动.这是以40VN型LDMOS为例,研究了在实际生产中击穿电压的不稳定性,通过分析和实验,调整了生产工艺的顺序、具体工艺的条件,改善了击穿电压的不稳定性,使得击穿电压的标准差从工艺改进前的4V降低到了改进后的1V以内;由于击穿电压的稳定,我们缩小了器件布局的参数,从而降低了单位面积的导通电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宪周		2	1	1.0	1.0