高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析

• 作者: 何宁 徐德鸿 李雅文 杜成瑞
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 软开关 三相逆变器 高效率 高功率密度
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 高效光伏发电功率变换及其系统适应性专辑
• 页码范围: 1-9
• 页数: 9页
• 分类号: TM46
• 字数: 4668字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2017.6.1

摘要

相比硅IGBT,碳化硅MOSFET拥有更快的开关速度和更低的开关损耗.碳化硅MOSFET应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长.为进一步提升碳化硅MOSFET逆变器的功率密度,探讨了采用软开关技术的碳化硅MOSFET逆变器.比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积,讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系.随着开关频率从数十kHz逐渐提升至数百kHz,软开关逆变器不仅能够维持较高的转换效率,还能取得更高的功率密度.最后,在1台9 kW软开关三相逆变器和1台9 kW硬开关逆变器上进行了实验验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐德鸿	浙江大学电力电子技术研究所	170	3009	31.0	50.0
2	杜成瑞	浙江大学电力电子技术研究所	4	11	2.0	3.0
3	何宁	浙江大学电力电子技术研究所	7	17	3.0	3.0
4	李雅文	浙江大学电力电子技术研究所	2	8	2.0	2.0