Ga-N共掺氧化锌纳米线阵列制备及发光性能研究

• 作者: 娄猛 宋周周 张明光 张翔晖 沈典典 苏明明
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积法 镓氮共掺 氧化锌纳米线阵列 高分辨透射电子显微镜 X射线光电子能谱 荧光光谱
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3300字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.03.009

摘要

采用化学气相沉积法(CVD)以一氧化氮(NO)和氧化镓(Ga2O3)为掺杂源,在c轴取向单晶蓝宝石衬底上外延生长镓氮(Ga-N)共掺氧化锌(ZnO)纳米线阵列.利用SEM,XRD,HRTEM,XPS,PL等测试手段对掺杂后的ZnO纳米线阵列进行结构、成分和光学性能表征.结果表明,Ga-N共掺ZnO纳米线阵列保持六方纤锌矿结构,沿(002)方向择优生长;掺杂元素在样品中均匀分布.随着掺杂浓度增加,纳米线由六棱柱结构转变为尖锥层状结构,长度由2μm减小到1μm,锥度增加至0.95;N 1s/Ga 2p/Zn 2p峰结合能向低能态方向移动.PL光谱分析表明,所有样品均出现紫外发光峰和绿光发光峰,不同掺杂浓度的缺陷发光强度不同.