石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响

• 作者: 廖永波 张庆伟 曾荣周 李平 王刚 王恒 翟亚红
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 石墨烯晶体管 跨导 宽长比 硅MOS晶体管
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 页码范围: 25-27,33
• 页数: 4页
• 分类号: TN312
• 语种: 中文

摘要

对于传统的硅M OS场效应晶体管,器件跨导的大小正比于沟道的宽长比.本文在石墨烯晶体管中发现了相反的现象.制备了源漏之间距离相同,且沟道宽度相同的石墨烯晶体管,实验结果为沟道较长的晶体管跨导较大.究其原因,石墨烯晶体管中栅电极覆盖的沟道面积较大时,被感应的载流子数量较多,所以跨导较大.此实验结果和分析对石墨烯晶体管的进一步理解和应用有明显的意义.