基于自支撑GaN和蓝宝石衬底AIGaN/GaNMISHEMT器件对比

• 作者: 孙世闯 张宝顺 李淑萍
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化物气相外延(HVPE) GaN衬底 金属有机化学气相沉积(MOCVD) AlGaN/GaN金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT) 同质外延 电流崩塌
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 734-739
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.11.002

摘要

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,采用低压化学气相沉积SiNx作为栅介质层,形成金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)结构,对比研究了两种器件的材料性能和电学特性.阴极发光测试表明HVPE的自支撑GaN衬底缺陷密度可降至6×105 cm-2量级.自支撑GaN衬底上AlGaN/GaN HEMT结构具有良好的表面形貌,其表面粗糙度Ra仅为0.51 nm,具有较大的源漏电极饱和电流IDS=378 mA/mm和较高跨导Gm=47 mS/mm.动态导通电阻测试进一步表明,自支撑GaN衬底上同质外延生长的GaN缓冲层具有低缺陷密度,使AlGaN/GaN MISHEMT电流崩塌特性得到抑制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李淑萍		26	89	6.0	7.0
2	张宝顺	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	13	29	3.0	5.0