基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计

• 作者: 杨根庆 林敏 董业民 黄水根 齐文正
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 互补金属氧化物半导体(CMOS) 无线保真(WiFi) 功率放大器(PA) 线性度 共源共栅
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 178-183
• 页数: 6页
• 分类号: TN722.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.03.004

摘要

基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(WiFi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器.驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(MOSFET)结构.利用调节共源共栅晶体管栅极的电容来改变栅极电压的相位,进而弥补了共源共栅结构的劣势,增加了整个系统的线性度和增益.另外,使用外部数字信号控制每级偏置的大小来适应不同的输出需求.整个结构采用电源电压:第一级为1.8V,后两级为3.3V,芯片面积为1.93 mm×1.4 mm.利用Candence Spectre RF软件工具对所设计的功率放大器进行仿真.结果表明,在2.4 GHz的工作频点,功率放大器的饱和输出功率为24.9 dBm,最大功率附加效率为22％,小信号增益达到28 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨根庆	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	56	365	11.0	15.0
2	董业民	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	10	15	2.0	3.0
3	林敏	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	12	15	2.0	3.0
4	黄水根	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	3	3	1.0	1.0
5	齐文正	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	1	1	1.0	1.0