InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散

• 作者: 于浩 尹顺正 张宇 赵润 车相辉 郝文嘉 陈宏泰 齐利芳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锌扩散 金属有机化学气相沉积(MOCVD) InP 光电探测器 扩散速率
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 300-304
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.04.010

摘要

锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程.分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点.对于扩散后的样品,采用电化学C-V方法和扫描电子显微镜(SEM)等测试分析手段,研究了退火、扩散温度、扩散源体积流量和反应室压力等主要工艺参数对InP材料扩散速率和载流子浓度的影响,并将该锌扩散工艺应用于InP基光电探测器和雪崩光电探测器的器件制作中,得到了优异的器件性能结果.