高深宽比石英结构的NLD刻蚀

• 作者: 吴亚宁 张伟 王进 王逸群 缪小虎 金晓盛 黄健
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁中性环路放电(NLD)等离子体 Ar+ C4F8 石英 高深宽比 刻蚀
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 645-649
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.09.011

摘要

基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机的原理,研究了Ar和C4F8混合气体氛围下,射频(RF)天线功率、偏置电源功率、气压和C4F8体积流量等工艺参数对NLD刻蚀石英的影响,最终获取优化的工艺参数,用于高深宽比石英结构的制备.结果表明,随着RF天线功率的增加,石英刻蚀速率逐渐降低,偏压不断减小;增加偏置电源功率,刻蚀速率及偏压持续增大,刻蚀比不断增大;随着反应压强的增加,偏压变大,而刻蚀速率一直降低;C4F8体积流量增加,偏压一直增大,石英刻蚀速率先是快速上升而后逐渐变小.在优化的工艺参数下,刻蚀速率为439 nm/min,深宽比可以达到10∶1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄健	上海大学材料科学与工程学院	17	28	3.0	4.0
2	吴亚宁	上海大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
3	金晓盛		1	0	0.0	0.0