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摘要:
In order to decrease the Schottky barrier height and sheet resistance between graphene (Gr) and the p-GaN layers in GaN-based light-emitting diodes (LEDs),some transparent thin films with good conductivity and large work function are essential to insert into Gr and p-GaN layers.In this work,the ultra-thin films of four metals (silver (Ag),golden (Au),nickel (Ni),platinum (Pt)) are explored to introduce as a bridge layer into Gr and p-GaN,respectively.The effect of a different combination of Gr/metal transparent conductive layers (TCLs) on the electrical,optical,and thermal characteristics of LED was investigated by the finite element methods.It is found that both the TCLs transmittance and the surface temperature of the LED chip reduces with the increase of the metal thickness,and the transmittance decreases to about 80% with the metal thickness increasing to 2 nm.The surface temperature distribution,operation voltage,and optical output power of the LED chips with different metal/Gr combination were calculated and analyzed.Based on the electrical,optical,and thermal performance of LEDs,it is found that 1.5-nm Ag or Ni or Pt,but l-nm Au combined with 3 layered (L) Gr is the optimal Gr/metal hybrid transparent and current spreading electrode for ultra-violet (UV) or near-UV LEDs.
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文献信息
篇名 Simulation on effect of metal/graphene hybrid transparent electrode on characteristics of GaN light emitting diodes
来源期刊 中国物理B(英文版) 学科
关键词 finite element methods graphene temperature distribution transmittance light-emitting diodes
年,卷(期) 2017,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 283-288
页数 6页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1088/1674-1056/26/10/104402
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中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
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