电流增益截止频率为236GHz的InAIN/GaN高频HEMT

• 作者: 冯志红 刘晨 吕元杰 宋旭波 房玉龙 韩婷婷 魏碧华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InAlN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 再生长n+GaN欧姆接触 电流增益截止频率 低压化学气相沉积(LPCVD)
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 275-278,299
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.04.006

摘要

研制了高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长n+GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学气相沉积(LPCVD)生长SiN作为栅下介质,降低了InAlN/GaN HEMT栅漏电;利用电子束光刻实现了栅长为50 nm的T型栅.此外,还讨论了寄生效应对器件fT的影响.测试结果表明,器件的栅漏电为3.8 μA/mm,饱和电流密度为2.5 A/mm,fT达到236 GHz.延时分析表明,器件的寄生延时为0.13 ps,在总延时中所占的比例为19％,优于合金欧姆接触工艺的结果.