MBE技术蓝宝石衬底上生长VO2薄膜及其太赫兹和金属-绝缘体相变特性研究

• 作者: 孙洪君 王敏焕 章俞之 苗丽华 边继明 骆英民
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化钒薄膜 太赫兹时域光谱 分子束外延 金属-绝缘体相变
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 437-442
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 字数: 1416字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20160456

摘要

采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15～60 nm精确控制.对于优化条件下VO2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属-绝缘体相变,近似于之前报道高质量单晶VO2相变特性.特别是通过太赫兹时域光谱分析了不同厚度的VO2薄膜在太赫兹波段的光学特性.结果表明:VO2薄膜的厚度对其在太赫兹波段的光学特性有很大影响.因此,为了获得更优的可靠性和重复性能,VO2薄膜的厚度必须得到精确控制.本研究结果对于下一步VO2基太赫兹器件研究具有重要意义.