激基复合物给体作间隔层对激子复合区域的调节

• 作者: 吕昭月 张叶峰 方圣欢 陆勍 高浩锋
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 间隔层 激基复合物 激子复合区域 TPD BPhen
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 514-520
• 页数: 7页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 3648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173804.0514

摘要

为研究激基复合物器件激子复合区域的变化,在TPD/BPhen界面可形成激基复合物发光的基础上,以Ir(pq)2(acac)为探测层,制备器件ITO/MoO3(2.5 nm)/TPD((40-x) nm)/Ir(pq)2(acac)(0.5 nm)/TPD(x, x=0,3,6,10 nm)/BPhen(40 nm)/Cs2CO3/Al,其中靠近BPhen的TPD称之为间隔层.电致发光光谱表明,该组器件的激子复合区域主要位于Ir(pq)2(acac)薄层和TPD/BPhen界面,分别发射595 nm和478 nm的光.随着TPD间隔层厚度的增加和电压的升高,发光区域向激基复合物区域(TPD/BPhen界面)移动,即更多的电子和空穴在TPD/BPhen界面形成激基复合物发光,Ir(pq)2(acac)发光减弱.当间隔层厚度由0 nm增至10 nm时,6 V电压下的Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由44降至1.5.对于间隔层厚度为6 nm的器件,Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由6 V时的2.8降至10 V时的1.0.由此可见,激基复合物给体作间隔层能有效调节激子复合区域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆勍	华东理工大学理学院物理系	4	7	1.0	2.0
2	吕昭月	华东理工大学理学院物理系	10	10	2.0	3.0
3	高浩锋	华东理工大学理学院物理系	1	0	0.0	0.0
4	方圣欢	华东理工大学理学院物理系	1	0	0.0	0.0
5	张叶峰	华东理工大学理学院物理系	2	2	1.0	1.0