绝热式渐次充电技术在CMOS电路中的应用

• 作者: 程耕国 程骅 陈梦浩
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 节能 CMOS电路 绝热式渐次充电 传播时延
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 电子元器件设计与应用
• 页码范围: 138-141
• 页数: 4页
• 分类号: TN433-34|TN710.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2017.10.037

摘要

随着集成电路技术的不断发展,功耗带来的挑战也日益突出,因此各种节能方法被不断地提出.基于以上所提及的功耗问题,提出一种绝热式渐次充电技术,它能够有效地降低CMOS电路中的能量损耗,达到节能的目的,同时还能降低电路中信号传播时延.这种绝热式渐次充电驱动器是由若干电容、直流电源和相关MOSFET组成的,在这种电路中,渐次式电压的产生几乎不消耗能量.为了凸显该技术的优势,将这种方法与传统的变化电压降低功耗的方法进行比较,经过最终的仿真对比发现该技术比传统的变化电压节能方法在能耗上大幅度降低,与此同时电路中信号传播时延也相应地得以降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程耕国	武汉科技大学冶金自动化与检测技术教育部工程研究中心	158	1114	19.0	24.0
2	陈梦浩	武汉科技大学信息科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
3	程骅	武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室	7	27	2.0	5.0