SiC新一代电力电子学的创新发展

• 作者: 赵正平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电力电子 SiC MOSFET SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT) SiC DC/DC变换器 逆变器
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 241-251
• 页数: 11页
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.04.001

摘要

进入21世纪,宽禁带半导体材料的发展对电力电子学产生了革命性的影响,SiC新一代电力电子学应运而生.从高频高效率开关应用、高功率密度、高压变换、高温工作、热管理和可靠性研究等方面介绍了近几年SiC电力电子学的应用创新.应用创新的内容包含:电路拓扑结构设计、优化设计方法、SiC功率器件和先进高频无源元件的采用、寄生参量的抑制、驱动电路设计、高温粘结与封装工艺、新冷却方法和极端工作条件的可靠性试验方法等.对SiC电力电子学的应用创新进行了综合评价.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平		46	197	7.0	12.0