氧化锌作为电子传输层的量子点发光二极管

• 作者: 叶继兴 李邓化 陈雯柏 马航
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点发光二极管 隧穿注入 空间电荷限制电流 电流密度 亮度 电流效率
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 507-513
• 页数: 7页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 5236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173804.0507

摘要

为降低量子点发光二极管(QLED)的开启电压,提高器件性能,利用电子传输性能良好的氧化锌(ZnO)作为电子传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED样品.在该器件结构基础上,采用隧穿注入和空间电荷限制电流模型仿真分析了载流子在量子点(QDs)层的电流密度.研究发现,当ZnO厚度为50 nm时,poly-TPD的理论最优厚度为40 nm,载流子在QDs层的注入达到相对平衡.通过测试器件的电流密度-电压-亮度-发光效率特性,研究了空穴传输层厚度对QLED器件性能的影响.实验结果表明,当空穴传输层厚度为40 nm时,器件的开启电压为1.7 V,最大发光效率为1.18 cd/A.在9 V电压下,器件最大亮度达到5 225 cd/m2,远优于其他厚度的器件.实验结果与仿真结果基本吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李邓化	北京交通大学电子信息工程学院	59	259	10.0	12.0
3	陈雯柏	北京信息科技大学自动化学院	59	214	9.0	12.0
4	叶继兴	北京信息科技大学自动化学院	8	12	2.0	3.0
7	马航	北京交通大学电子信息工程学院	4	12	2.0	3.0