TiB2掺杂对316L不锈钢厚膜电阻抗氧化性能的影响

• 作者: 周宏明 李荐 简帅
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: TiB2 316L不锈钢 多孔陶瓷 厚膜电阻 抗氧化性能
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 表面强化及功能化
• 页码范围: 157-164
• 页数: 8页
• 分类号: TG153
• 字数: 4628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.03.024

摘要

目的 厚膜电阻在电热膜方面的应用越来越广,而对于多孔陶瓷基体表面的厚膜电阻抗氧化性能的研究尚不多见.方法 通过恒温氧化实验研究了TiB2掺杂对不锈钢厚膜电阻在400、500、600、700℃下抗氧化性能的影响,采用XRD、SEM和EDS等方法分析了未掺杂及TiB2掺杂两种厚膜电阻的相组成和显微组织.结果 两种厚膜电阻的氧化动力学曲线均符合类抛物线模型,即(△w)n=kt.在400℃下,两种厚膜电阻的指数n均为4,掺杂TiB2电阻膜的氧化速率常数K1为1955.8 g4/(m8·h),而未掺杂TiB2电阻膜的氧化速率常数K2为4694.9 g4/(m8·h),这是由于掺杂TiB2厚膜电阻的致密度较高,使得厚膜电阻的抗氧化性能得以提高.高于500℃时,两种厚膜电阻的指数n均为2,掺杂TiB2厚膜电阻的氧化速率常数大于未掺杂厚膜电阻.这是由于TiB2氧化致使膜层内部出现间隙,膜层内部氧化严重(氧化产物主要为TiO2、B2O3、Fe2O3以及(Fe0.6Cr0.4)2O3),厚膜电阻抗氧化性能降低.结论 不锈钢厚膜电阻中掺杂TiB2可在400℃下提高膜层的抗氧化性能,而在500℃以上的高温环境下却有损于膜层的抗氧化性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李荐	中南大学材料科学与工程学院	78	952	14.0	29.0
3	周宏明	中南大学材料科学与工程学院	57	444	11.0	19.0
9	简帅	中南大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0