芳香烃中位取代氟硼二吡咯的薄膜放大自发辐射稳定性研究

• 作者: 刘星元 吕晨曦 张立功 张镭 杨杨 林杰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氟硼二吡咯衍生物 放大自发辐射 稳定性 分子结构
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 499-506
• 页数: 8页
• 分类号: O432.1+2
• 字数: 2823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173804.0499

摘要

对苯基、萘基和蒽基在中位取代的氟硼二吡咯(BODIPY)衍生物薄膜的放大自发辐射(ASE)性能进行了研究,探讨了影响材料ASE稳定性的因素.首先,将3种BODIPY衍生物材料PhBOD、NaBOD和EnBOD掺入聚苯乙烯经溶液旋涂法制备成薄膜,接下来测试了吸收光谱和荧光光谱,然后在光泵浦条件下测量了3种样品的ASE性能,获得了材料的ASE阈值.进一步通过长时间泵浦、环境中长时间放置和高温环境下泵浦等方法研究了材料的光稳定性、ASE环境稳定性和热稳定性.最后使用Gaussian 09计算了分子基态性质.实验结果表明,PhBOD、NaBOD和EnBOD薄膜的初始阈值分别为12.4,4.55,3.4 kW/cm2,其中PhBOD有较强的ASE稳定性.ASE稳定性差异可能与分子结构的共轭程度和化学稳定性相关.分子中各个基团的共轭程度较大、Mulliken电荷分布对称性较好的材料具有较好的ASE稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨杨	内蒙古民族大学化学化工学院	28	38	4.0	5.0
2	林杰	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	6	8	2.0	2.0
3	吕晨曦	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	9	19	3.0	4.0
7	张镭		1	0	0.0	0.0
8	张立功	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	0	0.0	0.0