La掺杂AgSnO2触头材料导电性能的第一性原理分析

• 作者: 吴倩 周露露 王景芹 蔡亚楠 赵彩甜
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: La掺杂SnO2 第一性原理 电子结构 电学性质
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 2552-2559
• 页数: 8页
• 分类号: TM501
• 字数: 5591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19476/j.ysxb.1004.0609.2017.12.19

摘要

AgSnO2是一种较为理想的AgCdO替代材料,但由于其中SnO2近乎绝缘,使得触头材料的接触电阻增大,故改善SnO2的导电性是急需解决的重大难题.采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法,通过建模的方法,分别建立不同比例(50%、25%、16.67%、12.5%、8.34%)La掺杂的SnO2晶胞模型,并计算分析其晶格常数、电荷布居、能带结构和态密度等性质.结果表明,La掺杂后触头材料中的SnO2仍属于直接带隙半导体材料,但其禁带宽度变小,载流子浓度变大,使得材料的导电性增强.当La掺杂比为16.67%时导电性最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王景芹	河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室	117	645	13.0	20.0
2	周露露	河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室	9	9	1.0	2.0
3	赵彩甜	河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室	4	8	2.0	2.0
4	蔡亚楠	河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室	4	8	2.0	2.0
5	吴倩	河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室	4	20	3.0	4.0