化学气相沉积制备大面积高质量石墨烯的研究进展?

• 作者: 尹强 李春静 王伟 石晓东
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 化学气相沉积 衬底 碳源 生长条件
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 136-142
• 页数: 7页
• 分类号: TB321
• 字数: 7395字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2017.03.022

摘要

石墨烯是由单层碳原子紧密堆积形成的一种碳质新材料,具有优良的电学、光学、热学及力学等性质。在众多的石墨烯制备方法中,化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)最有可能实现大面积、高质量石墨烯的可控制备。综述了 CVD方法制备大面积、高质量石墨烯的影响因素,包括衬底、碳源及生长条件(气体流量、生长温度、等离子体功率、生长压强、沉积时间、冷却速率等)。最后展望了CVD方法制备石墨烯的发展方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	50	144	7.0	10.0
2	李春静	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	8	37	2.0	6.0
3	石晓东	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	6	24	2.0	4.0
4	尹强	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	4	23	2.0	4.0