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SiC单晶生长炉的压力控制系统设计
原文服务方：
电子质量
摘要：
该文通过对SiC单晶生长工艺和设备的研究,重点分析研究了压力对SiC单晶生长的影响,并给出了压力可靠运行参数和方案,满足SiC单晶生长工艺的稳定和实验重复性的要求.
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单晶体生长
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单晶炉
提拉速度
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研究主题发展历程
节点文献
SiC
PVT
晶体生长
压力控制
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相关学者/机构
期刊影响力
电子质量
主办单位：
中国电子质量管理协会
工业和信息化部电子第五研究所(中国赛宝实验室)
出版周期：
月刊
ISSN：
1003-0107
CN：
44-1038/TN
开本：
大16开
出版地：
邮发代号：
创刊时间：
1980-01-01
语种：
chi
出版文献量（篇）
7058
总下载数（次）
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总被引数（次）
15176
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