石墨烯对多孔硅光学性能的影响

• 作者: 程广贵 葛道晗 钱栋梁
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 多孔硅 电流密度 复合材料 光致发光
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 585-590
• 页数: 6页
• 分类号: TB33|TN304.18
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.09.002

摘要

采用电化学腐蚀法,通过改变腐蚀电流密度制备出不同孔径的多孔硅衬底.通过荧光分光光度计对多孔硅进行光致发光性能测试,测试结果发现腐蚀电流密度会对其光致发光性能产生影响,当腐蚀电流密度为30 mA/cm2时,制备出的多孔硅光致发光性能较好.通过湿法转移法将化学气相沉积(CVD)法制备出的石墨烯转移到多孔硅表面,利用喇曼光谱对石墨烯进行质量及层数检测.通过荧光分光光度计及傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对复合材料进行表征.结果表明石墨烯可以改变多孔硅表面态,使多孔硅的光致发光性能得到极大的提高.研究成果为多孔硅应用到光学传感器中提供了新的研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程广贵	江苏大学微纳米科学技术研究中心	48	176	8.0	12.0
2	钱栋梁	江苏大学微纳米科学技术研究中心	2	4	2.0	2.0
3	葛道晗	江苏大学微纳米科学技术研究中心	6	8	2.0	2.0