GaN基肖特基势垒二极管结构优化研究进展

• 作者: 吴月芳 郭伟玲 陈艳芳 雷亮
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势垒二极管(SBD) 外延片 肖特基电极 边缘终端 结构优化
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 477-486
• 页数: 10页
• 分类号: TN311.7
• 字数: 4208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173804.0477

摘要

作为宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性,这使得它在电力电子等领域有广泛应用.本文首先综述了SBD发展要解决的问题;然后,介绍了GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展;接下来,总结了AlGaN/GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展,并着重从AlGaN/GaN SBD的外延片结构、肖特基电极结构以及边缘终端结构等角度,阐述了这些结构的优化对AlGaN/GaN SBD性能的影响;最后,对器件进一步的发展方向进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟玲	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	74	656	10.0	23.0
2	陈艳芳	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	6	17	3.0	4.0
3	吴月芳	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	3	6	1.0	2.0
4	雷亮	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	4	11	2.0	3.0